ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD17483F4T
Datasheet下载- 型号： CSD17483F4T
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17483F4T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17483F4T价格参考￥1.05-￥1.06。Texas InstrumentsCSD17483F4T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD17483F4T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17483F4T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17483F4T是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于超小型封装的单MOSFET器件，广泛应用于对空间和效率要求较高的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：常用于降压（Buck）转换器中的低边或高边开关，适用于服务器、笔记本电脑和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），提供高效能和低导通损耗。 2. 负载开关与电源管理：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中作为负载开关，控制电源路径，实现快速开启/关断，降低待机功耗。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动模块，尤其在空间受限的消费类和工业类应用中表现优异。 4. 热插拔与电源冗余设计：用于电信和网络设备中的热插拔控制器，保护系统免受浪涌电流影响。 5. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）或充电电路中，作为开关元件，提高能量转换效率。 CSD17483F4T采用1.5mm × 1.5mm SON-6封装，具有极低的栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rdson约1.3mΩ），支持高开关频率和高效率运行，非常适合高密度、高效率的电源设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD17483F4T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FemtoFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 500mA， 8V |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 其它名称 | 296-37781-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17483F4T |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A（Ta） |
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