Datasheet下载- 型号： SI1330EDL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1330EDL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1330EDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1330EDL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1330EDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1330EDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1330EDL-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源开关和负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电池供电系统：在电池保护电路中作为高边或低边开关使用，控制电池充放电路径，防止过流或短路损坏电池。 3. DC-DC 转换器：用于同步整流或作为负载开关，提升转换效率，尤其适用于低压输入输出的场合。 4. 电机驱动与负载开关：适用于小型电机、继电器或 LED 照明等负载的开关控制，具备良好的热稳定性和快速响应能力。 5. 工业控制与自动化设备：用于工业控制系统中的信号切换与功率控制，如PLC模块、传感器电源控制等。 该器件采用小型封装（如TSOP），适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能和可靠性，适用于多种中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1330EDL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 250mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1330EDL-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 280mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 240mA （Ta） |
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