ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > JAN2N3019
Datasheet下载- 型号： JAN2N3019
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN2N3019由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN2N3019价格参考。ON SemiconductorJAN2N3019封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 800mW 通孔 TO-39。您可以下载JAN2N3019参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN2N3019 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT JAN2N3019 |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor JAN2N3019 |
| 产品型号 | JAN2N3019 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 VDC |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-5 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 800 mW |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 VDC |
| 集电极—基极电压VCBO | 140 VDC |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
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