Datasheet下载- 型号： IRF9Z14SPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z14SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z14SPBF价格参考。VishayIRF9Z14SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z14SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z14SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9Z14SPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件广泛应用于各类电子设备中，主要用于功率开关和电压控制。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、电源开关电路中，用于高效地控制电流流向和电压调节。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为高边或低边开关使用，实现对负载的快速通断控制。 3. 马达驱动：用于小型电机的驱动电路中，提供高效的开关性能并减少功率损耗。 4. 逆变器与转换器：在 UPS（不间断电源）、逆变器等设备中作为关键的功率切换元件。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明控制及车载充电器等场景。 6. 工业控制：如 PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中的开关控制模块。 该 MOSFET 具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适合中低功率应用。其封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装，适合多种电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAKMOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z14SPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91089 |
| 产品型号 | IRF9Z14SPBFIRF9Z14SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF9Z14SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 6.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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