ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI3443DVTRPBF
Datasheet下载- 型号： SI3443DVTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3443DVTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3443DVTRPBF价格参考。International RectifierSI3443DVTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）。您可以下载SI3443DVTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3443DVTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SI3443DVTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件采用小型TSDS-6封装，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热性能，适用于空间受限且对能效要求较高的应用。 SI3443DVTRPBF 主要应用于便携式电子设备和电源管理系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源中的负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器。其低栅极电荷和快速开关特性有助于提升电源转换效率，降低功耗，延长电池续航时间。 此外，该MOSFET也广泛用于USB供电（USB PD）、充电管理模块和过流/过压保护电路中，能够可靠地控制电流通断，保护后级电路免受损坏。在消费类电子产品的小型化和高效化趋势下，SI3443DVTRPBF凭借其高集成度和稳定性，成为理想的选择。 工业控制、物联网设备和智能家居产品中也常见其身影，适用于驱动LED、继电器或传感器电源的开关控制。总体而言，SI3443DVTRPBF适用于需要高效、紧凑、低功耗电源开关解决方案的多种场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3443DVTRPBF |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1079pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | SI3443DVTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
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