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型号： BUK7E2R7-30B,127
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BUK7E2R7-30B,127产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E2R7-30B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E2R7-30B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E2R7-30B,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK。您可以下载BUK7E2R7-30B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E2R7-30B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 BUK7E2R7-30B,127 是一款30V、400A的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（典型值仅为2.7mΩ），适用于高电流、高效率的电源管理场景。该器件广泛应用于服务器电源、电信设备和工业电源系统中的同步整流、负载开关和DC-DC转换器。其优异的热性能和封装设计（LFPAK56）使其在紧凑空间内也能高效散热，适合高密度电路板布局。此外，BUK7E2R7-30B也常用于电动工具、电池管理系统（BMS）和汽车辅助电源系统等对可靠性和能效要求较高的场合。凭借NXP一贯的高品质与稳定性，该MOSFET在严苛工作环境下仍能保持出色性能，是中低压大电流应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BUK7E2R7-30B,127
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6212pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	91nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.7 毫欧 @ 25A，10V
供应商器件封装	I2PAK
其它名称	568-6629 568-6629-5 568-6629-ND 934058024127 BUK7E2R7-30B BUK7E2R7-30B,127-ND BUK7E2R7-30B-ND BUK7E2R730B127
功率-最大值	300W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tmb）