Datasheet下载- 型号： IPD09N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD09N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD09N03LA G价格参考。InfineonIPD09N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD09N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD09N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPD09N03LA G是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单的产品，其应用场景主要集中在以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。它能够高效地进行电力转换和分配，确保设备运行稳定。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，IPD09N03LA G可用于控制电机的速度和方向。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 负载切换：这款MOSFET适合用于负载切换电路，能够快速响应负载变化，保护系统免受过载或短路的影响。 4. 电池管理：在电池管理系统（BMS）中，IPD09N03LA G可以用于电池充放电控制，提供高效的电流管理和保护功能。 5. 消费电子：广泛应用于各类消费电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源适配器、充电器以及内部电源管理单元。 6. 工业自动化：在工业领域，该MOSFET可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和其他自动化设备中，实现精确的电力控制。 7. 通信设备：适用于基站、路由器和其他通信设备中的电源管理模块，确保设备的可靠性和高效性。 IPD09N03LA G凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD09N03LA_Rev2.12_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429dca44214 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD09N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1642pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.6 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD09N03LAGINCT |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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