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  • 型号: HUF75645P3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUF75645P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75645P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75645P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75645P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3。您可以下载HUF75645P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75645P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75645P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括:

1. DC-DC转换器:适用于高效能、高频开关的DC-DC降压或升压电路,广泛应用于通信设备、服务器和工业电源中。

2. 负载开关与电源管理:因其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于电池供电设备中的负载开关控制,提升系统效率并减少能耗。

3. 电机驱动与功率控制:在电机驱动器、电动工具及家电控制电路中作为功率开关元件,实现对电机速度或方向的调节。

4. 同步整流:在电源适配器、充电器等AC-DC电源中用作同步整流器件,替代传统二极管以提高转换效率。

5. 汽车电子系统:如车载电源系统、LED照明驱动等,得益于其良好的热稳定性和可靠性,适用于较为严苛的工作环境。

该器件采用先进的封装技术,具备优良的散热性能,支持高电流承载能力,是高性能电源设计中的常用选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220ABMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75645P3UltraFET™

数据手册

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产品型号

HUF75645P3

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

310 W

Pd-功率耗散

310 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

117 ns

下降时间

97 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3790pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

238nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

41 ns

功率-最大值

310W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

HUF75645

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75645P3_NL

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