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FDT86113LZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86113LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86113LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86113LZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.3A(Tc) 2.2W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT86113LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86113LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT86113LZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 FDT86113LZ 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、降压或升压转换器等。凭借其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动 在小型电机控制中,该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够提供高开关速度和低损耗,适合需要高效能的电机控制系统。 3. 负载开关 作为负载开关,FDT86113LZ 能够快速响应并控制电路中的电流流动,广泛应用于消费电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)以及工业设备中。 4. 电池保护与管理 在电池管理系统(BMS)中,该器件可用于电池充放电保护、过流保护和短路保护,确保电池的安全运行。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。 5. 通信与网络设备 在路由器、交换机和其他网络设备中,FDT86113LZ 可用作信号切换或电源调节的关键组件,支持高速数据传输的同时保证系统稳定性。 6. 汽车电子 尽管具体封装可能需满足车规级要求,但类似规格的 MOSFET 常用于汽车电子系统,如 LED 驱动、车身控制模块(BCM)、电动助力转向(EPS)等。 7. 消费类电子产品 包括数字音频设备、游戏机、智能家居设备等,FDT86113LZ 的紧凑设计和高性能使其成为这些领域中理想的功率开关元件。 总之,FDT86113LZ 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。在选择具体应用场景时,还需根据实际需求考虑散热设计、工作电压及电流限制等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86113LZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDT86113LZ |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
Qg-GateCharge | 4.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 1.3 ns |
下降时间 | 1.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 315pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 3.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | FDT86113LZ-ND |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 250.200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Tc) |
系列 | FDT86113LZ |
配置 | Single |