Datasheet下载- 型号： DMN3150L-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3150L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3150L-7价格参考。Diodes Inc.DMN3150L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3150L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3150L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN3150L-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸的特点，适用于多种电子电路设计场景。以下是 DMN3150L-7 的主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关应用，能够实现快速开启/关闭功能，同时降低功耗。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，用于高效 DC-DC 转换器中，提升转换效率。 - 电池保护：在电池管理系统中用作电池充放电控制开关，防止过流、短路或反向电流。 2. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换输入/输出信号路径，确保信号传输的低失真。 3. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低功率直流电机驱动，例如玩具、家用电器中的电机控制。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 4. 消费电子产品 - USB 端口保护：在 USB 充电端口中用作保护开关，防止过流或短路。 - LED 驱动：用于驱动小型 LED 或 LED 灯串，提供高效的电流控制。 5. 工业与通信 - 热插拔保护：在服务器、网络设备中，用于保护电路免受热插拔时的浪涌电流影响。 - 信号隔离：在工业控制系统中，用于隔离不同电压等级的信号。 特点总结 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小封装（SOT363/SC-70）：节省 PCB 空间，适合小型化设计。 - 高开关速度：适合高频应用，如 DC-DC 转换器。 DMN3150L-7 凭借其优异的性能和紧凑的设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3150L-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3150L-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 72 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 28 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 3.49 ns |
| 下降时间 | 3.49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 305pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN3150LDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 15.02 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 72 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 28 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 28V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
| 系列 | DMN3150L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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