【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXTQ50N25T】封装/厂家_IXTQ50N25T中文资料_价格

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型号： IXTQ50N25T
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ50N25T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ50N25T价格参考。IXYSIXTQ50N25T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 250V 50A（Tc） 400W（Tc） TO-3P。您可以下载IXTQ50N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ50N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS公司的IXTQ50N25T是一款单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体应用场景广泛，尤其适用于需要高效、高可靠性的电力电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   IXTQ50N25T常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高电源转换效率。该器件的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，适合用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。

 2. 电机驱动
   在电机驱动电路中，IXTQ50N25T可用于控制电机的速度和方向。其耐压能力（Vds = 250V）使得它能够在高压环境下稳定工作，适用于工业自动化设备中的步进电机、伺服电机等。此外，它还可以用于电动工具、家用电器（如风扇、冰箱压缩机）的电机驱动电路中。

 3. 逆变器
   该MOSFET适用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器系统。它能够将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效运行。IXTQ50N25T的低损耗特性有助于减少能量损失，提升系统的整体效率。

 4. 电池管理系统（BMS）
   在电动汽车（EV）、储能系统等应用中，IXTQ50N25T可以作为电池保护电路中的关键元件。它能够快速响应过流、短路等异常情况，确保电池组的安全运行。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。

 5. 脉宽调制（PWM）控制器
   IXTQ50N25T广泛应用于PWM控制器中，特别是在LED照明、音频放大器等领域。通过调节占空比，它可以精确控制输出功率，实现亮度调节或音量控制等功能。其快速开关速度和低损耗特性使得PWM控制更加精准和高效。

 6. 不间断电源（UPS）
   在UPS系统中，IXTQ50N25T用于切换主电源和备用电池之间的供电路径。它能够在市电中断时迅速切换到电池供电模式，确保负载设备的持续运行。其可靠的性能和快速响应能力使得UPS系统更加稳定可靠。

总之，IXTQ50N25T凭借其优异的电气特性，适用于多种电力电子设备，尤其是在需要高效能、高可靠性和快速响应的应用场景中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PMOSFET 50Amps 250V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	50 A
Id-连续漏极电流	50 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ50N25T-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTQ50N25T
Pd-PowerDissipation	400 W
Pd-功率耗散	400 W
Qg-GateCharge	78 nC
Qg-栅极电荷	78 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	60 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	60 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	25 ns
下降时间	25 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	78nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-3P
典型关闭延迟时间	47 ns
功率-最大值	400W
包装	管件
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3P-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	35 S
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	50A （Tc）
系列	IXTQ50N25
通道模式	Enhancement