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Datasheet下载- 型号： STF16N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STF16N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF16N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF16N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF16N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF16N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF16N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STF16N65M5是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（650V）和良好的热性能，适用于多种功率转换和控制场景。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，提升能效并减小体积。 2. 工业电源与服务器电源：作为开关元件用于高效电源模块，支持高功率密度设计。 3. 电机驱动与逆变器：适用于工业电机控制、无刷直流电机驱动以及小型逆变器系统，提供快速开关性能。 4. 照明系统：如LED驱动电源中，用于提高转换效率与稳定性。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换器，利用其高耐压与低损耗特性提升整体系统效率。 STF16N65M5采用先进的MDmesh M5技术，具备出色的开关特性和抗雪崩能力，适合在高频、高效率的开关电源中使用，是工业与消费类电源设计中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FPMOSFET N-CH 65V 12A MDMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF16N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF16N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 279 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 279 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 299 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-8893-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221893?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | STF16N65M5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
