Datasheet下载- 型号： NTTFS4939NTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4939NTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4939NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4939NTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTFS4939NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTFS4939NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTFS4939NTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：用于降压或升压电路中，作为主开关器件，提供高效的能量转换。 - 开关电源 (Switching Power Supply, SMPS)：在开关电源中充当功率开关，实现高效的电压调节。 - 负载开关 (Load Switch)：用于动态控制电路中的电流流动，保护系统免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：用作逆变桥的一部分，驱动电机的相位切换。 - 步进电机控制：通过 PWM 调制控制电机的速度和方向。 - 小型电机驱动：如风扇、泵等设备的驱动电路中，提供高效的功率传输。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：防止电池过充、过放或短路，确保电池安全。 - 电量平衡：在多节电池组中，用于均衡各节电池的电压。 - 充电电路：作为充电路径的开关，控制充电电流。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷器等需要低功耗和高可靠性的应用。 - LED 驱动：用于汽车照明系统，提供精确的电流控制。 - 启动和停止系统：在启停功能中，用于快速切换电路状态。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑适配器：用于高效电源转换和负载管理。 - 智能手机快充：作为充电路径中的功率开关，支持快速充电协议。 - 音频放大器：用于功率输出级，提高音频信号的驱动能力。 6. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于控制继电器、电磁阀和其他工业负载。 - 传感器接口：驱动高功率传感器或执行器。 - 伺服控制系统：在精密运动控制中提供稳定的电流输出。 7. 通信设备 - 基站电源：用于高效电源分配和管理。 - 网络交换机和路由器：作为功率开关或负载开关，优化能耗。 NTTFS4939NTAG 的低导通电阻特性使其非常适合需要高效率和低损耗的应用场景，同时其紧凑的封装形式也便于集成到小型化设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFNMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 14.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4939NTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTTFS4939NTAG |
| Pd-PowerDissipation | 2.21 W |
| Pd-功率耗散 | 2.21 W |
| Qg-GateCharge | 28 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 20.6 ns |
| 下降时间 | 3.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1979pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 典型关闭延迟时间 | 20.8 ns |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 14.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta）， 52A （Tc） |
| 系列 | NTTFS4939N |
| 配置 | Single |
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