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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUS3A90PZTBG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUS3A90PZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLUS3A90PZTBG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLUS3A90PZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUS3A90PZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLUS3A90PZTBG是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻、高可靠性及小型化封装(如1.8mm × 1.4mm DFN2020),适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。 其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制;电池供电系统中的反向电流阻断与电源切换;以及各类消费类电子产品中的DC-DC转换电路。由于具备良好的热性能和电气特性,该MOSFET也常用于热插拔电路保护和电机驱动中的低功率开关应用。 此外,NTLUS3A90PZTBG支持高密度PCB布局,适合追求轻薄短小设计的现代电子产品,在工业控制、智能家居模块和物联网终端中也有广泛应用。其稳定的性能表现使其在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行,是中小型功率开关应用的理想选择之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTLUS3A90PZTBG |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 62 毫欧 @ 4A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-UDFN(1.6x1.6) |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |