ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1304BDL-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1304BDL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI1304BDL-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1304BDL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1304BDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1304BDL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3。您可以下载SI1304BDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1304BDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1304BDL-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型化封装（如SOT-23），具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性。该器件主要适用于对空间和功耗要求较高的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压反向保护电路中发挥关键作用，提升电源转换效率。 3. 信号切换：适用于模拟或数字信号路径的开关控制，如音频开关或多路复用系统。 4. 过压/反接保护：常用于防止电池反接或电源异常导致的损坏，广泛应用于消费类电子产品和工业控制模块。 5. 低功耗嵌入式系统：因其驱动简单、静态电流低，适合MCU外围的开关控制应用，如传感器使能控制。 SI1304BDL-T1-GE3凭借其小尺寸、高可靠性及优良的电气性能，特别适合高密度PCB布局和对散热与能耗敏感的设计，是现代便携式电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 900MA SC-70-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1304BDL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 900mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1304BDL-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 370mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
