ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR3410TRPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR3410TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3410TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3410TRPBF价格参考¥2.29-¥2.47。International RectifierIRLR3410TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3410TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3410TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRLR3410TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于FET/MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该型号适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制应用中,如风扇、泵或家用电器中的电机驱动,IRLR3410TRPBF能够提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 3. 负载开关:在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品,可以用作负载开关以实现快速的电路切换并减少待机功耗。 4. 电池保护与管理:适用于锂电池保护电路,用于防止过充、过放以及短路等情况的发生,确保电池的安全使用。 5. 汽车电子:尽管具体耐受环境需进一步确认,但类似规格的器件常用于汽车内部的辅助系统,例如车窗升降器、座椅调节器等需要高效能开关元件的地方。 6. 信号放大与缓冲:在一些低频信号处理场合下,也可以作为信号放大的一部分组件来使用。 总之,IRLR3410TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备及交通运输领域等多种场景中,满足不同客户对高性能功率半导体的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3410TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3410TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 53 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR3410PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 功率耗散 | 52 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 155 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 22.7 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr3410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |