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IRFU5305PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU5305PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU5305PBF价格参考¥2.27-¥5.07。International RectifierIRFU5305PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU5305PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU5305PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFU5305PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别中的单个器件。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关电源(SMPS) - IRFU5305PBF 常用于开关模式电源中,作为高频开关元件,实现高效的电压转换。 - 它适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及反激式、正激式等拓扑结构。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于低功率至中功率的电机驱动应用,例如直流无刷电机(BLDC)或步进电机的控制。 - 其快速开关特性和低导通电阻有助于提高效率并减少热量产生。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他电力逆变系统中,IRFU5305PBF 可用作功率开关,将直流电转换为交流电。 4. 负载切换 - 该器件适合用于负载切换电路,例如汽车电子、工业自动化设备和消费类电子产品中的负载通断控制。 - 其低导通电阻特性可以降低功耗,提升系统效率。 5. 电池管理 - 在电池管理系统(BMS)中,IRFU5305PBF 可用于保护电路,实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制。 6. 音频放大器 - 该 MOSFET 可用于 Class D 音频放大器的输出级,提供高效率和低失真的音频信号放大。 7. 照明控制 - 在 LED 照明驱动电路中,IRFU5305PBF 可用作开关元件,实现恒流控制和调光功能。 特性优势: - 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 高可靠性:适用于各种恶劣环境,确保长期稳定运行。 总之,IRFU5305PBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,尤其是在中小功率范围内的电子设备中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A I-PAKMOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU5305PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU5305PBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU5305PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |