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  • 型号: 5LN01SP-AC
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01SP-AC由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01SP-AC价格参考。ON Semiconductor5LN01SP-AC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载5LN01SP-AC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有5LN01SP-AC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 5LN01SP-AC 是一款N沟道增强型MOSFET,属于小信号功率MOSFET,常用于低电压、低功耗的开关和电源管理应用。其主要应用场景包括:

1. 便携式电子设备:由于具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷,5LN01SP-AC 非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中,常用于电池开关、负载开关或电源路径管理。

2. 电源管理电路:在DC-DC转换器、LDO旁路控制或电源多路复用电路中,该器件可用于高效地切换电源轨,提升系统能效。

3. 电机驱动与继电器驱动:适用于小型直流电机或电磁继电器的控制开关,凭借快速开关特性和良好热性能,可在低电流驱动电路中实现可靠控制。

4. LED背光与照明控制:作为LED开关元件,用于调节或开启/关闭LED背光模块,尤其适用于中小尺寸显示屏的背光驱动。

5. 消费类电子产品:如无线耳机充电仓、智能家居传感器、USB电源开关等,利用其SOT-723超小型封装,节省PCB空间,同时满足高密度布局需求。

6. 工业与IoT设备:在传感器模块、无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙模组)中,用于电源节电控制或信号通断管理,有助于延长待机时间。

综上,5LN01SP-AC 凭借小封装、低功耗和高可靠性,广泛应用于需要高效、紧凑设计的低功率开关场景,特别适合对尺寸和能效有较高要求的现代电子产品。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 50V 100MA SPAMOSFET ULTRAHIGH-SPEED MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LN01SP-AC-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

5LN01SP-AC

Pd-PowerDissipation

0.25 W

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6.6pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.57nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.8 欧姆 @ 50mA,4V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SPA

功率-最大值

250mW

包装

散装

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

SC-72

封装/箱体

SPA-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

系列

5LN01SP

配置

Single

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