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Datasheet下载- 型号： FDP22N50N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP22N50N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP22N50N价格参考￥8.75-￥18.95。Fairchild SemiconductorFDP22N50N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 312.5W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP22N50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP22N50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP22N50N是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），其主要应用场景涵盖了多个工业和消费电子领域。这款器件具有较高的电压耐受能力，最大漏源电压(Vds)为500V，适用于高压环境下的开关应用。 1. 电源管理：该型号常用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等电力转换系统中，作为高效的开关元件来控制电流的通断。它能够承受较大的电压波动，确保系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如冰箱压缩机、空调风扇）以及汽车电动窗、座椅调节装置等场合下，FDP22N50N可以用来实现对电机的精准控制，提供必要的启动、停止及速度调节功能。 3. 逆变器与变频器：对于太阳能逆变器或工业自动化中的变频器而言，这款MOSFET是理想的选择。它可以快速响应负载变化，优化能源效率，并减少电磁干扰。 4. 保护电路：利用其低导通电阻特性，FDP22N50N还可以设计成过流保护、短路保护等安全机制的一部分，有效防止因异常情况导致的设备损坏。 总之，FDP22N50N凭借其优良的电气性能，在需要高效能、高可靠性的电力控制系统中有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-220MOSFET UniFETII 500V 22A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP22N50NUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP22N50N |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 312.5 W |
| Pd-功率耗散 | 312.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 312.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | FDP20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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