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- 型号： HUF76419S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76419S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76419S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76419S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76419S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76419S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76419S3ST是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括：电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备以及负载开关等。 该器件具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于提升能效并减少发热，适用于高效率要求的便携式电子设备和工业控制系统。在笔记本电脑、平板电源管理系统中，常用于同步整流或电源路径控制。此外，在汽车电子领域，如车载充电系统或LED照明驱动中也有应用，得益于其良好的热稳定性和可靠性。 HUF76419S3ST采用小型表面贴装封装（如DPAK或类似），节省PCB空间，适合紧凑型设计。其耐压等级适中，适合中低电压功率开关场景，工作温度范围宽，可在较严苛环境中稳定运行。 总之，HUF76419S3ST是一款高性能MOSFET，适用于消费电子、工业控制和汽车电子中的电源开关与功率调节应用，尤其适合追求高效率、小体积的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76419S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 29A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
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