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FDC5612产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC5612由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC5612价格参考。Fairchild SemiconductorFDC5612封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载FDC5612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC5612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC5612是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于便携式电子设备和中低功率电源管理场景。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和优异的热稳定性,适合在空间受限和功耗敏感的设计中使用。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关、负载开关和电池管理电路;也可用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)以及电机驱动电路中的低侧开关。其小型化封装(如TSOP-6或DFN)便于集成于高密度PCB布局中,适用于对尺寸要求严格的便携设备。 此外,FDC5612还常用于LED背光驱动、热插拔控制器及各类电源管理单元(PMU),实现高效能电流通断控制。由于具备良好的抗噪声能力和快速响应特性,该MOSFET也适用于需要频繁启停或动态负载调整的系统。 总之,FDC5612凭借其高性能与小尺寸优势,成为现代电子设备中理想的功率开关解决方案,特别适用于追求高效率、低功耗和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6MOSFET SSOT-6 N-CH 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC5612PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC5612 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 4.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC5612DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |
| 系列 | FDC5612 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC5612_NL |