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  • 型号: FQP13N50
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP13N50产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N50价格参考¥10.69-¥13.12。Fairchild SemiconductorFQP13N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP13N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP13N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS)  
   FQP13N50 具有 500V 的高耐压能力,适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压或升压转换器、反激式变换器等。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些场景中表现出色。

2. 电机驱动  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。其高电压耐受能力适合需要较高工作电压的电机系统。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,FQP13N50 可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。它能够承受较高的电压波动,确保系统的稳定运行。

4. 电磁阀控制  
   由于其能够处理较高的电压和电流,FQP13N50 常被用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路,实现对电磁阀的精确控制。

5. 负载切换  
   在需要频繁切换高电压负载的应用中(如汽车电子、家用电器),FQP13N50 可以作为负载开关,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。

6. 保护电路  
   该器件也可用于过流保护、短路保护等电路设计中,通过快速切断异常电流来保护下游设备。

7. 家电与照明  
   在高压 LED 照明驱动电路或家用电器(如风扇、吸尘器等)中,FQP13N50 能够提供可靠的功率控制和高效的能量转换。

总之,FQP13N50 凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于各种需要高电压功率控制的场合,尤其是在工业、消费电子和汽车领域中表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220MOSFET 500V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.5 A

Id-连续漏极电流

12.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N50QFET®

数据手册

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产品型号

FQP13N50

Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

430 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

430 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

140 ns

下降时间

85 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

430 毫欧 @ 6.25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

170W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Tc)

系列

FQP13N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP13N50_NL

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