ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQP13N50
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQP13N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP13N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP13N50价格参考¥10.69-¥13.12。Fairchild SemiconductorFQP13N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP13N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP13N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP13N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FQP13N50 具有 500V 的高耐压能力,适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压或升压转换器、反激式变换器等。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些场景中表现出色。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。其高电压耐受能力适合需要较高工作电压的电机系统。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,FQP13N50 可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。它能够承受较高的电压波动,确保系统的稳定运行。 4. 电磁阀控制 由于其能够处理较高的电压和电流,FQP13N50 常被用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路,实现对电磁阀的精确控制。 5. 负载切换 在需要频繁切换高电压负载的应用中(如汽车电子、家用电器),FQP13N50 可以作为负载开关,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 6. 保护电路 该器件也可用于过流保护、短路保护等电路设计中,通过快速切断异常电流来保护下游设备。 7. 家电与照明 在高压 LED 照明驱动电路或家用电器(如风扇、吸尘器等)中,FQP13N50 能够提供可靠的功率控制和高效的能量转换。 总之,FQP13N50 凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于各种需要高电压功率控制的场合,尤其是在工业、消费电子和汽车领域中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220MOSFET 500V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP13N50QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP13N50 |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 430 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 430 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 85 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 430 毫欧 @ 6.25A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.5A (Tc) |
| 系列 | FQP13N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP13N50_NL |