Datasheet下载- 型号： RU1C002UNTCL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RU1C002UNTCL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RU1C002UNTCL价格参考。ROHM SemiconductorRU1C002UNTCL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RU1C002UNTCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RU1C002UNTCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM Semiconductor的RU1C002UNTCL是一款N沟道增强型SiC（碳化硅）MOSFET，主要应用于高电压、高效率和高频率的电力电子场景。以下是其典型应用场景： 1. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV） - 车载充电器（OBC）：RU1C002UNTCL能够处理高电压输入，适合用于电动车的车载充电系统，提供高效的能量转换。 - DC-DC转换器：在高压电池与低压系统之间进行电压转换时，这款MOSFET可显著降低开关损耗，提高效率。 - 电机驱动逆变器：适用于电动车的主驱逆变器，支持高效的功率转换和控制。 2. 工业设备 - 太阳能逆变器：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，SiC MOSFET的低开关损耗和高热性能有助于提高系统效率。 - 不间断电源（UPS）：在高功率UPS中，该器件可以实现快速开关和低导通损耗，确保稳定供电。 - 伺服驱动器：在工业自动化领域，用于高效驱动电机，满足精密控制需求。 3. 消费类电子产品 - 快充适配器：由于其高频工作能力和低损耗特性，RU1C002UNTCL非常适合用于高功率密度的快充设备，减少发热并提高效率。 - 家电变频控制：如空调、冰箱等，通过高效功率转换实现节能效果。 4. 通信基础设施 - 基站电源：在5G基站等通信设备中，该MOSFET可用于高效率的电源管理模块，支持长时间稳定运行。 - 服务器电源：在数据中心的服务器电源中，提供更高的功率密度和更低的能耗。 核心优势 - 高耐压能力：RU1C002UNTCL支持高达1200V的工作电压，适合高压环境。 - 低导通电阻：有助于减少导通损耗，提升整体效率。 - 高速开关性能：支持高频应用，降低磁性元件体积，从而减小系统尺寸。 - 高温稳定性：SiC材料的优异热性能使其能够在更高温度下可靠工作。 综上，RU1C002UNTCL广泛适用于需要高效功率转换、高电压处理和紧凑设计的各种电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RU1C002UNTCL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| 供应商器件封装 | UMT3F |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-85 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
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