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  • 型号: IRF9540
  • 制造商: Vishay
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IRF9540产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540价格参考。VishayIRF9540封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF9540参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9540 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF9540是一种P沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:IRF9540常用于直流-直流转换器、电压调节模块(VRM)以及负载开关中,实现高效的电源切换和稳压功能。

2. 电机控制:在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。

3. 电池保护:适用于便携式电子设备中的电池保护电路,通过快速切断电流来防止过充或过放。

4. 逆变器与太阳能系统:在小型逆变器或太阳能充电控制器中,作为开关器件参与能量转换过程。

5. 音频功放:用作音频功率放大器中的输出级开关,提供高保真度的声音输出。

6. 照明控制:在LED照明应用中,用于调光控制和恒流驱动,确保灯光亮度稳定。

7. 数据通信设备:如路由器、交换机等网络设备中,用于信号隔离和电源切换。

8. 消费类电子产品:包括数码相机、游戏机等产品内的各种开关和控制电路。

由于IRF9540具有较低的导通电阻(典型值为0.18Ω)、较高的持续漏极电流能力(可达9.2A)以及良好的热稳定性,因此非常适合上述需要高性能开关特性的场合。同时,其工作电压范围宽达100V,能够适应多种不同的电气环境要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 19A TO-220ABMOSFET -100V Single P-Channel HEXFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9540-

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产品型号

IRF9540IRF9540

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

73 ns

下降时间

57 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

61nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF9540

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

150W

功率耗散

150 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

19 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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