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IRF9540产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540价格参考。VishayIRF9540封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF9540参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9540 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9540是一种P沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRF9540常用于直流-直流转换器、电压调节模块(VRM)以及负载开关中,实现高效的电源切换和稳压功能。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。 3. 电池保护:适用于便携式电子设备中的电池保护电路,通过快速切断电流来防止过充或过放。 4. 逆变器与太阳能系统:在小型逆变器或太阳能充电控制器中,作为开关器件参与能量转换过程。 5. 音频功放:用作音频功率放大器中的输出级开关,提供高保真度的声音输出。 6. 照明控制:在LED照明应用中,用于调光控制和恒流驱动,确保灯光亮度稳定。 7. 数据通信设备:如路由器、交换机等网络设备中,用于信号隔离和电源切换。 8. 消费类电子产品:包括数码相机、游戏机等产品内的各种开关和控制电路。 由于IRF9540具有较低的导通电阻(典型值为0.18Ω)、较高的持续漏极电流能力(可达9.2A)以及良好的热稳定性,因此非常适合上述需要高性能开关特性的场合。同时,其工作电压范围宽达100V,能够适应多种不同的电气环境要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 19A TO-220ABMOSFET -100V Single P-Channel HEXFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9540- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF9540IRF9540 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 73 ns |
下降时间 | 57 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 11A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF9540 |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 150W |
功率耗散 | 150 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 200 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
漏极连续电流 | 19 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |