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STW60NM50N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW60NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW60NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTW60NM50N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 68A(Tc) 446W(Tc) TO-247。您可以下载STW60NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW60NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW60NM50N是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): STW60NM50N适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源。其500V的击穿电压使其能够承受高压环境,而低导通电阻(典型值为0.6Ω)则有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。其高耐压能力和大电流处理能力(连续漏极电流可达6A)使其适合于工业控制、家用电器和消费电子中的电机驱动应用。 3. 负载开关: 在需要高效负载开关的应用中,STW60NM50N可以作为高性能开关使用,例如在汽车电子、电池管理系统(BMS)或便携式设备中实现快速、可靠的电路切换。 4. PFC(功率因数校正)电路: 在功率因数校正电路中,这款MOSFET可以用作主开关器件,帮助提升系统的功率因数并满足相关能效标准。 5. 保护电路: 由于其高耐用性和良好的热特性,STW60NM50N可应用于过流保护、短路保护或浪涌吸收电路中,以确保系统稳定运行。 6. 逆变器: 在小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,这款MOSFET可以用作关键的开关元件,实现高效的电能转换。 7. 照明应用: 适用于LED驱动器和电子镇流器等照明应用,提供稳定的电流输出和高效率。 总之,STW60NM50N凭借其高压、低功耗和高可靠性特点,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效能量转换和控制的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 68A TO-247MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW60NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW60NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 446 W |
| Pd-功率耗散 | 446 W |
| Qg-GateCharge | 178 nC |
| Qg-栅极电荷 | 178 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 27.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5790pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 178nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 43 毫欧 @ 34A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13287-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251691?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 446W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 68A (Tc) |
| 系列 | STW60NM50N |
| 配置 | Single |