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  • 型号: STW60NM50N
  • 制造商: STMicroelectronics
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STW60NM50N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW60NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW60NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTW60NM50N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 68A(Tc) 446W(Tc) TO-247。您可以下载STW60NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW60NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW60NM50N是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   STW60NM50N适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源。其500V的击穿电压使其能够承受高压环境,而低导通电阻(典型值为0.6Ω)则有助于提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。其高耐压能力和大电流处理能力(连续漏极电流可达6A)使其适合于工业控制、家用电器和消费电子中的电机驱动应用。

3. 负载开关:  
   在需要高效负载开关的应用中,STW60NM50N可以作为高性能开关使用,例如在汽车电子、电池管理系统(BMS)或便携式设备中实现快速、可靠的电路切换。

4. PFC(功率因数校正)电路:  
   在功率因数校正电路中,这款MOSFET可以用作主开关器件,帮助提升系统的功率因数并满足相关能效标准。

5. 保护电路:  
   由于其高耐用性和良好的热特性,STW60NM50N可应用于过流保护、短路保护或浪涌吸收电路中,以确保系统稳定运行。

6. 逆变器:  
   在小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,这款MOSFET可以用作关键的开关元件,实现高效的电能转换。

7. 照明应用:  
   适用于LED驱动器和电子镇流器等照明应用,提供稳定的电流输出和高效率。

总之,STW60NM50N凭借其高压、低功耗和高可靠性特点,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效能量转换和控制的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 500V 68A TO-247MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

43 A

Id-连续漏极电流

43 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW60NM50NMDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STW60NM50N

Pd-PowerDissipation

446 W

Pd-功率耗散

446 W

Qg-GateCharge

178 nC

Qg-栅极电荷

178 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

43 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

43 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

36 ns

下降时间

27.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5790pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

178nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

43 毫欧 @ 34A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

497-13287-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251691?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

446W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

68A (Tc)

系列

STW60NM50N

配置

Single

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