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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLMS5703TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLMS5703TR价格参考。International RectifierIRLMS5703TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLMS5703TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLMS5703TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLMS5703TR 是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低阈值电压和优异的导通性能,适用于电池供电设备和便携式电子产品。 典型应用场景包括:便携式医疗设备、智能手机和平板电脑中的电源开关与负载管理;笔记本电脑和移动电源中的DC-DC转换电路;USB充电管理及过流保护电路;以及小型电机驱动和LED照明驱动等。由于其具备低栅极电荷和快速开关特性,IRLMS5703TR在高频开关电源中表现出色,有助于提升系统效率并减少发热。 此外,该MOSFET采用小型表面贴装封装(如PowerPAK SO-8),节省PCB空间,适合高密度布局的现代电子设计。它还具备良好的热稳定性与可靠性,可在较宽温度范围内稳定工作,适用于工业控制、消费电子和便携式储能设备等领域。综合来看,IRLMS5703TR是一款高性能、高性价比的功率开关器件,特别适合对空间和能效有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLMS5703TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
| 其它名称 | *IRLMS5703TR |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/lms5703.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/lms5703.spi |