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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC510P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC510P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC510P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC510P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC510P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC510P是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热性能,适用于需要高效能功率控制的场合。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关或电池电源管理;笔记本电脑和移动设备中的DC-DC转换器;电机驱动电路中的低边开关;以及各类消费类电子产品中的电源开关模块。由于其P沟道特性,FDMC510P在栅极电压为低电平时导通,控制逻辑简单,适合用于高侧开关(High-side switch)设计,广泛应用于需要节能和小型化的系统中。 此外,FDMC510P采用紧凑型封装(如PowerTSSOP或DFN),有助于节省PCB空间,适合高密度布局的现代电子产品。它还具备良好的抗静电(ESD)能力和可靠性,可在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、家电控制板和电源适配器等环境。 综上,FDMC510P凭借其低功耗、高效率和小尺寸,广泛应用于消费电子、工业控制和电源管理等领域,是实现高效开关控制的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLPMOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 18 A |
| Id-连续漏极电流 | - 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC510PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC510P |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7860pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 116nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 12A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MLP(3.3x3.3) |
| 其它名称 | FDMC510PDKR |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 210 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-MLP,MicroFET™ |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3x3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 18A (Tc) |
| 系列 | FDMC510P |
| 配置 | Single |