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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT16N10D2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT16N10D2价格参考。IXYSIXTT16N10D2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT16N10D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT16N10D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT16N10D2是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的单MOSFET器件,具有100V耐压、16A连续漏极电流(ID)和低导通电阻的特性,适用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,作为主开关或同步整流元件,实现高效能量转换。 2. 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机和BLDC(无刷直流电机)驱动电路,常见于电动工具、家用电器和工业自动化设备中。 3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和车载逆变器中用于直流到交流的电能转换,具备快速开关能力和良好热稳定性。 4. 照明控制:用于LED驱动电源和高强度放电灯(HID)镇流器,支持高频调光与稳定输出。 5. 保护与开关电路:可作为电子负载开关、热插拔控制器或过流保护电路中的功率开关元件。 该器件采用TO-220AB封装,散热性能良好,适合需要紧凑设计且对效率要求较高的工业、汽车和消费类电子产品。其雪崩能力增强设计也提升了在感性负载环境下的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Depletion |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT16N10D2- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTT16N10D2 |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Qg-GateCharge | 225 nC |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 64 毫欧 @ 8A,0V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 340 ns |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 系列 | IXTT16N10 |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Single |