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IRF1010EZSTRLP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010EZSTRLP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010EZSTRLP价格参考。International RectifierIRF1010EZSTRLP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF1010EZSTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1010EZSTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF1010EZSTRLP是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效功率控制和切换的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - IRF1010EZSTRLP常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,作为高效的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高整体效率。 - 在电池充电器中,该MOSFET可用于电流调节和电压控制。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路。它可以在高频下快速切换,提供稳定的电流输出。 - 在H桥电路中,IRF1010EZSTRLP可以实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 用作负载开关,控制高电流负载的开启和关闭。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、风扇或其他电气设备的供电。 4. 逆变器和UPS系统 - 在逆变器中,IRF1010EZSTRLP可作为功率级的一部分,将直流电转换为交流电。 - 在不间断电源(UPS)系统中,它可用于切换电池供电和市电供电模式。 5. LED驱动 - 在大功率LED照明应用中,该MOSFET可用于恒流驱动电路,确保LED在不同负载条件下保持稳定的亮度。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,IRF1010EZSTRLP可以用作输出级开关器件,提供高效率的音频信号放大。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域,该MOSFET可用于继电器替代、电磁阀驱动和传感器接口等场景,实现快速、可靠的功率切换。 特性优势: - 低导通电阻:典型值为2.8mΩ(Vgs=10V),降低功耗并提高效率。 - 高耐压能力:额定电压为55V,适合多种中低压应用。 - 大电流承载能力:连续漏极电流可达92A(Tc=25°C),满足高功率需求。 - 快速开关速度:栅极电荷小,支持高频操作。 综上所述,IRF1010EZSTRLP凭借其高性能参数,非常适合需要高效功率切换和控制的各种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010EZSTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1010EZSTRLP |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 54 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 毫欧 @ 51A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF1010EZSTRLPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |