Datasheet下载- 型号： SI3493BDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3493BDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3493BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3493BDV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3493BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3493BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3493BDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域： 1. 电源管理： - 用于 DC-DC 转换器中的同步整流或开关管，提升效率并降低功耗。 - 在降压或升压转换器中作为主开关或续流二极管替代元件。 2. 电池管理系统 (BMS)： - 控制电池充放电回路的开启与关闭。 - 实现过流保护、短路保护等功能。 3. 电机驱动： - 适用于小型直流电机或无刷电机的驱动电路。 - 提供高效的功率传输和快速的动态响应。 4. 负载开关： - 用作负载开关以实现设备的快速启停和电流隔离。 - 减少待机功耗并提高系统可靠性。 5. 便携式设备： - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电源管理模块。 - 支持高效能和小尺寸设计需求。 6. 工业控制： - 在工业自动化设备中用于信号切换或功率控制。 - 提供稳定的性能和较高的耐用性。 7. 通信设备： - 用于基站、路由器等通信设备中的电源分配和管理。 - 确保低损耗和高可靠性运行。 SI3493BDV-T1-E3 的低 Rds(on) 特性使其能够在高频开关条件下保持较低的传导损耗，同时其小型封装（如 DPAK 或 SO-8）适合空间受限的设计。这些特点使其成为消费电子、工业设备及通信领域的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOPMOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3493BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?74478 |
| 产品型号 | SI3493BDV-T1-E3SI3493BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.08 W |
| Pd-功率耗散 | 2.08 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 84 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1805pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3493BDV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 2.97W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3493BDV-E3 |
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