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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PH3330L,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH3330L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH3330L,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PH3330L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PH3330L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PH3330L,115 是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET类别,为单一(单)器件。这款MOSFET通常用于需要高效功率控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统,提高能效并减少发热。 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等小型电机驱动电路中,作为开关元件使用。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的开启与关闭,如LED照明、加热元件等。 4. 汽车电子:在车载系统中用于电源分配、灯光控制等,具有良好的可靠性和耐用性。 5. 工业自动化:作为开关元件用于PLC、传感器和执行器的控制电路中。 6. 消费电子:在手机充电器、移动电源等设备中实现高效的功率转换。 PH3330L,115具有低导通电阻、小型封装和良好的热性能,适合高效率、紧凑型电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET TRENCH-3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PH3330L,115TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | PH3330L,115 |
Pd-PowerDissipation | 62.5 W |
Pd-功率耗散 | 62.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 75 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4840pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 934058817115 |
典型关闭延迟时间 | 52 ns |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Triple Source |
零件号别名 | PH3330L T/R |