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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR120NTRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR120NTRR价格参考。International RectifierIRLR120NTRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR120NTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR120NTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLR120NTRR的晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别中的N沟道增强型器件。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。 IRLR120NTRR的主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能效和减小电源体积。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为电机控制开关,具备快速响应和高耐压特性。 3. 负载开关:用于智能电表、电池管理系统(BMS)中,实现对负载的精确控制与保护。 4. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动、起停系统等,适应较宽温度范围和较高可靠性要求。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、游戏机、智能家电等设备中的电源模块,提供高效稳定的功率控制。 该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于高频开关应用,是各类电力电子系统中实现节能和高性能的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR120NTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 6A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr120n.spi |