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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86102LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86102LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS86102LZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS86102LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86102LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDMS86102LZ是一款集成了两个MOSFET(通常为一个高压侧和一个低压侧)的单封装功率器件,属于FET/MOSFET-单类。该器件常用于同步整流拓扑中,适用于高效率、高密度的电源设计。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛应用于服务器、通信设备和工业电源中的降压型(Buck)转换器,提供高效能的电压调节。 2. 负载点电源(POL):在FPGA、CPU、ASIC等数字芯片的供电系统中,作为靠近负载的电源模块,实现低电压大电流输出。 3. 笔记本电脑与主板电源管理:用于核心电压、内存电压等多路电源轨的供电,支持动态调压需求。 4. 电信与网络设备:如交换机、路由器中的板级电源系统,要求高效率和小体积的设计场景。 5. 电动工具与电池管理系统:在便携式高功率设备中用于电源开关和能量控制。 FDMS86102LZ采用紧凑的PowerTrench®技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好热性能,有助于减少功耗和散热需求。其集成化设计可节省PCB空间,提升系统可靠性,是现代高效开关电源中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFNMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86102LZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS86102LZ |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1305pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN(5X6),Power56 |
| 其它名称 | FDMS86102LZCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power-56-10 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta), 22A (Tc) |
| 系列 | FDMS86102LZ |