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Datasheet下载- 型号： BFG540/XR,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFG540/XR,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540/XR,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540/XR,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG540/XR,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 400mW Surface Mount SOT-143R。您可以下载BFG540/XR,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG540/XR,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG540/XR,215是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高频、低噪声的射频放大应用。该器件适用于工作频率高达数GHz的场景，具备良好的增益和噪声性能，适合在无线通信系统中作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器使用。 典型应用场景包括：蜂窝通信基站、无线基础设施设备、微波点对点通信、卫星通信系统以及宽带射频接收模块。此外，该晶体管也广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如无线传感器网络、远程监控系统和射频识别（RFID）读取器等。 BFG540/XR,215采用SOT-343封装，体积小巧，适合高密度贴装，便于集成于紧凑型射频电路中。其稳定的温度特性和高可靠性，使其在恶劣环境或长期运行的通信设备中表现出色。同时，该器件支持宽电源电压范围，有助于提升系统设计的灵活性。 总之，BFG540/XR,215是一款高性能射频晶体管，特别适用于要求低噪声、高增益和良好线性度的高频模拟前端设计，广泛服务于现代无线通信和射频电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B REV射频双极晶体管 Single NPN 15V 120mA 400mW 100 9GHz |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG540/XR,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG540/XR,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 其它名称 | 568-6193-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | SOT-143R |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 120 mA |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
