Datasheet下载- 型号： BFP843H6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP843H6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP843H6327XTSA1价格参考。InfineonBFP843H6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP843H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP843H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP843H6327XTSA1 是一款双极射频晶体管（RF BJT），主要应用于高频和射频领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 无线通信设备： 该晶体管适用于低噪声放大器（LNA）设计，用于提升无线通信系统中的信号强度。例如，在蜂窝基站、中继器或卫星通信设备中，可以提高接收灵敏度。 2. 射频前端模块： 在射频前端电路中，BFP843H6327XTSA1 可用作驱动级或增益级放大器，支持高效信号处理，尤其是在需要高线性度和低失真的应用中。 3. 测试与测量仪器： 由于其出色的射频性能，这款晶体管可用于高性能示波器、频谱分析仪或其他测试设备中，以实现对高频信号的精确测量。 4. 雷达系统： 在军事或民用雷达系统中，该晶体管可用作关键组件，提供稳定的功率输出和低噪声特性，确保目标检测的准确性。 5. 医疗设备： 在超声波成像或射频治疗设备中，BFP843H6327XTSA1 能够支持高精度信号传输，从而提升诊断或治疗效果。 6. 工业自动化： 在工业物联网（IIoT）环境中，这款晶体管可应用于无线传感器网络或远程监控系统，增强信号覆盖范围和稳定性。 总结来说，BFP843H6327XTSA1 凭借其卓越的射频性能，广泛适用于需要高频率、低噪声和高可靠性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon_Robust_SiGe_WiFi_WLAN_Prematched_Broadband_LNA_BFP843+Rev.+1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f9a93b7013f9f380d2c1f78 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP843H6327XTSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 15mA， 1.8V |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | BFP843H6327XTSA1DKR |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz |
| 增益 | 13.5dB ~ 24.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 55mA |
| 频率-跃迁 | - |
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