Datasheet下载- 型号： BFG10W/X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG10W/X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG10W/X,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG10W/X,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG10W/X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG10W/X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BFG10W/X,115 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产，属于 射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于 射频（RF）放大和高频信号处理 应用。 该器件特别适用于 低噪声、小信号放大 场景，常见于以下应用场景： 1. 无线通信系统：如蜂窝基站、无线接入点等设备中的射频前端模块，用于接收信号的低噪声放大。 2. 广播设备：用于FM广播或电视发射机中的信号放大。 3. 测试与测量仪器：如频谱分析仪、信号发生器等设备中作为高频信号放大元件。 4. 工业控制与监控系统：在需要高频信号处理的工业通信系统中使用。 5. 消费类电子产品：如高端无线音频设备、智能天线系统等。 该晶体管具有良好的高频性能和稳定性，适合工作在数百MHz至GHz级频率范围，封装小巧，适合高密度PCB布局。由于其低噪声系数和高增益特性，BFG10W/X,115常用于要求较高的射频接收链路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 10V 250MA SOT343N |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG10W/X,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | 4-SO |
| 其它名称 | 934036590115 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343 反向插针 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 频率-跃迁 | 1.9GHz |
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