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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP149H6906XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP149H6906XTSA1价格参考。InfineonBSP149H6906XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP149H6906XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP149H6906XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的BSP149H6906XTSA1是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率电子系统中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性以及高可靠性,适合高频和高效能要求的应用场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池充电与放电控制;消费类电子产品中的DC-DC转换器,用于提升或降低电压以满足不同模块供电需求;LED驱动电路,实现对亮度的精确调节;电机驱动应用,如小型直流电机或步进电机的控制,常见于家用电器和电动工具中;此外,还适用于各类开关电源(SMPS)、适配器和电源模块中,作为高效开关元件使用。 由于其采用表面贴装封装(如SOT-23),体积小巧,适合高密度PCB布局,特别适用于空间受限的便携设备。同时,该MOSFET具备良好的热稳定性和抗干扰能力,可在工业环境温度范围内稳定运行,因此也适用于部分工业控制和汽车电子中的辅助电源系统。总体而言,BSP149H6906XTSA1是一款高性能、多功能的单N沟道MOSFET,适用于多种中低功率开关与电源管理场合。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Depletion |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 mA |
| Id-连续漏极电流 | 140 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 200V 3.5OhM 0.14Amp |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30432313ff5e0123371a6c0563d9 |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP149H6906XTSA1 |
| 产品型号 | BSP149H6906XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.8 S |
| 系列 | BSP149 |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058604 |