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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5401LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5401LT3G价格参考¥0.02-¥0.02。ON SemiconductorMMBT5401LT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 150V 500mA 300MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT5401LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5401LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBT5401LT3G是一款PNP型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、性价比优异等特点,广泛应用于各类电子电路中。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:常用于低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电磁阀等,适用于便携式设备和消费类电子产品中的电源控制。 2. 信号放大:在音频信号处理、传感器信号调理等模拟电路中,作为小信号放大元件使用。 3. 电平转换与逻辑控制:在数字电路中实现电平移位或反相功能,配合其他晶体管或IC进行逻辑控制。 4. 电源管理:用于线性稳压器、电池充电管理电路中的电流控制部分。 5. 消费电子:广泛应用于手机、平板、智能家居设备、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中。 6. 工业与汽车电子:由于其符合AEC-Q101车规认证且为绿色环保(无铅、符合RoHS),也适用于汽车内部的非动力系统,如车内照明控制、传感器接口等。 MMBT5401LT3G具有较高的直流电流增益(hFE)和较低的饱和电压,适合高频和快速开关操作。其最大集电极电流为-150mA,最大集射极电压为-150V,具备良好的耐压性能。综合来看,该型号是一款性能稳定、应用灵活的小信号PNP晶体管,适用于多种中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 150V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT5401LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5401LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA (ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | MMBT5401L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |