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SI2323DDS-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2323DDS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2323DDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2323DDS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23。您可以下载SI2323DDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2323DDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2323DDS-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on)),使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够有效降低功耗,提高转换效率,适用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源适配器。 - DC-DC转换器:在降压或升压型DC-DC转换器中,SI2323DDS-T1-GE3可以作为主开关器件,提供高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:该MOSFET适用于驱动小型直流电机或步进电机,尤其是在需要高频率PWM调速的应用中。其快速开关特性和低损耗特性有助于减少发热,延长电机寿命。 - 风扇控制:在家电产品如空调、冰箱等中,用于控制散热风扇的速度和启停。 3. 负载开关 - 电池管理系统(BMS):在锂电池保护板或其他电池管理系统中,用作负载开关,控制电池与负载之间的连接,确保电池安全使用,防止过充、过放等问题。 - USB端口保护:在USB集线器、移动硬盘等设备中,作为USB端口的保护开关,防止电流过大损坏设备。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入信号源,确保信号传输的稳定性和可靠性。 - 数据通信接口:在RS-232、RS-485等通信接口中,作为信号切换或隔离元件,防止信号干扰。 5. 保护电路 - 过流保护:通过检测电流大小,当电流超过设定值时,迅速切断电路,保护后端电路免受大电流冲击。 - 短路保护:在发生短路时,MOSFET可以快速响应并断开电路,避免损坏其他元器件。 总之,SI2323DDS-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,成为许多高效能、低功耗应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.16 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SI2323DDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2323DDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 13.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 8V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V to - 1 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 4.1A, 4.5V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | SI2323DDS-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 52 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A (Tc) |
| 系列 | SI2323DDS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |