Datasheet下载- 型号： NTD18N06LT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06LT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06LT4价格参考。ON SemiconductorNTD18N06LT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD18N06LT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD18N06LT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06LT4 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）可达18A，适用于中高功率的开关与控制应用。 该MOSFET广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和稳压模块，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：用于电动工具、风扇、泵类等电机驱动电路中，实现高效、快速的开关控制。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关使用，实现对不同模块的供电控制，提高系统能效。 4. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明驱动、电机控制模块等，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化：用于PLC、工业电源及自动化控制设备中，作为功率开关元件，提升系统响应速度和稳定性。 由于其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适合在空间受限但需良好热管理的场合使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD18N06LT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 9A，5V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD18N06LT4OS |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD18N06LT4 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商