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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS335N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS335N价格参考¥0.74-¥0.74。Fairchild SemiconductorNDS335N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDS335N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS335N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NDS335N是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件采用先进的Trench工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适用于高效率、小体积的电源管理设计。 NDS335N主要应用于便携式电子设备和中低功率电源系统中。常见使用场景包括:手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关与负载管理;电池供电设备中的电源控制模块,如电动工具、移动电源和充电器;还可用于DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动电路中,提升整体能效。 由于其封装小巧(如SO-8或类似小型封装),适合空间受限的应用环境,同时具备良好的抗静电能力和可靠性,广泛用于需要高效、稳定开关性能的场合。此外,NDS335N也常被用于各类工业控制、家电控制板及LED照明驱动电路中,作为高速开关元件实现精确的功率控制。 综上,NDS335N凭借其优异的电气性能和紧凑的封装,广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和便携式设备等领域,是中小功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 1.7A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | NDS335NDKR |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |