【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SPW55N80C3FKSA1】封装/厂家_SPW55N80C3FKSA1中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SPW55N80C3FKSA1

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SPW55N80C3FKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SPW55N80C3FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPW55N80C3FKSA1价格参考￥47.66-￥83.37。InfineonSPW55N80C3FKSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 800V 54.9A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3。您可以下载SPW55N80C3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPW55N80C3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies生产的SPW55N80C3FKSA1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   - SPW55N80C3FKSA1适用于各种开关电源的设计，例如AC-DC适配器、充电器和工业电源。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds = 800V）使其能够高效处理高压和大电流的切换需求。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和家用电器中，该MOSFET可用于驱动中小型电机。例如，空调压缩机、冰箱风扇或电动工具等设备中的电机控制电路。

 3. 逆变器
   - 用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，作为功率级开关元件。其高耐压特性可以满足逆变器对高压环境的需求，同时提高效率并降低损耗。

 4. 电磁兼容性（EMC）保护
   - 在需要抑制电磁干扰的场合，SPW55N80C3FKSA1可以用作快速开关器件，以减少开关瞬态引起的噪声问题。

 5. 负载切换与保护
   - 在汽车电子和工业控制系统中，该MOSFET可用来实现负载的快速切换和过流保护功能。例如，车载电子设备的电源管理模块。

 6. PFC（功率因数校正）电路
   - 在功率因数校正电路中，SPW55N80C3FKSA1可以作为主开关器件，帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。

 7. 照明应用
   - 在LED路灯或高亮度LED驱动电路中，这款MOSFET可以用作恒流控制的关键元件，确保灯光稳定输出。

总结来说，SPW55N80C3FKSA1凭借其高耐压能力、低导通电阻和出色的热性能，非常适合应用于高压、高频和高效能要求的电力电子领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	54.9 A
Id-连续漏极电流	54.9 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPW55N80C3FKSA1
产品型号	SPW55N80C3FKSA1
Pd-PowerDissipation	500 W
Pd-功率耗散	500 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	85 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	85 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	850 V
Vds-漏源极击穿电压	850 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
产品种类	MOSFET
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	240
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
系列	SPW55N80
配置	Single
零件号别名	SP000849356