图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQP24N08
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQP24N08产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP24N08由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP24N08价格参考。Fairchild SemiconductorFQP24N08封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 80V 24A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP24N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP24N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP24N08 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源 (Switching Power Supplies)  
   FQP24N08 的低导通电阻(Rds(on) = 0.065 Ω 典型值)和高电流能力(Id = 24 A)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压转换器 (Buck Converter) 或升压转换器 (Boost Converter)。

2. 电机驱动 (Motor Drivers)  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其低导通电阻有助于减少电机运行时的功率损耗。

3. 负载开关 (Load Switches)  
   在需要快速开启或关闭负载的场景中,FQP24N08 可作为高效负载开关使用,适用于电池供电设备或需要节能的应用。

4. 电池保护与管理 (Battery Protection and Management)  
   由于其低导通电阻特性,FQP24N08 可用于电池管理系统中,作为充电/放电路径的开关,以最小化功耗并延长电池寿命。

5. 逆变器 (Inverters)  
   在小型逆变器设计中,FQP24N08 可用作开关元件,将直流电转换为交流电,适用于便携式电子设备或太阳能微逆变器。

6. 继电器替代 (Relay Replacement)  
   FQP24N08 可以替代传统的机械继电器,用于需要固态开关的应用,如汽车电子、家用电器等,提供更长的使用寿命和更快的响应速度。

7. 音频功率放大器 (Audio Power Amplifiers)  
   在某些音频放大器设计中,FQP24N08 可用作输出级开关元件,提供高效的信号放大功能。

总结来说,FQP24N08 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别是在需要高效功率切换和低功耗的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 24A TO-220MOSFET 80V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP24N08QFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQP24N08

Pd-PowerDissipation

75 W

Pd-功率耗散

75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

105 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 12A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

75W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

12 S

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

系列

FQP24N08

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP24N08_NL

FQP24N08 相关产品

TK39J60W,S1VQ

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

NTD25P03LT4

品牌:ON Semiconductor

价格:

MTP23P06V

品牌:ON Semiconductor

价格:

IPP60R380C6XKSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

FQA44N08

品牌:ON Semiconductor

价格:

FQA11N90

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRL530

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STP5N105K5

品牌:STMicroelectronics

价格: