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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT20N50D由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT20N50D价格参考。IXYSIXTT20N50D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT20N50D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT20N50D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT20N50D是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率开关的场合。其额定电压为500V,电流可达20A,适合中高功率的电力电子设备使用。 该器件常用于以下场景: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能的电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、伺服电机、步进电机控制等场景,作为功率开关实现电机的启停与调速。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,将直流电转换为交流电。 4. 照明系统:如高强度气体放电灯(HID)镇流器或LED驱动电源中,作为高频开关元件。 5. 工业控制:在工业自动化控制电路中作为功率负载的开关控制器件。 IXTT20N50D具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在较高频率和较大功率环境下工作,适用于对效率和散热有要求的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT20N50D- |
数据手册 | |
产品型号 | IXTT20N50D |
Pd-PowerDissipation | 400 W |
Pd-功率耗散 | 400 W |
Qg-GateCharge | 78.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 78.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 330 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3.5 V |
上升时间 | 85 ns |
下降时间 | 75 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 330 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 400W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 4 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
系列 | IXTT20N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |