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  • 型号: IXTT20N50D
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT20N50D由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT20N50D价格参考。IXYSIXTT20N50D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT20N50D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT20N50D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTT20N50D是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率开关的场合。其额定电压为500V,电流可达20A,适合中高功率的电力电子设备使用。

该器件常用于以下场景:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能的电能转换。

2. 电机驱动:适用于工业自动化、伺服电机、步进电机控制等场景,作为功率开关实现电机的启停与调速。

3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,将直流电转换为交流电。

4. 照明系统:如高强度气体放电灯(HID)镇流器或LED驱动电源中,作为高频开关元件。

5. 工业控制:在工业自动化控制电路中作为功率负载的开关控制器件。

IXTT20N50D具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在较高频率和较大功率环境下工作,适用于对效率和散热有要求的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 20A TO-268MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTT20N50D-

数据手册

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产品型号

IXTT20N50D

Pd-PowerDissipation

400 W

Pd-功率耗散

400 W

Qg-GateCharge

78.5 nC

Qg-栅极电荷

78.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

330 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

330 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 3.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 3.5 V

上升时间

85 ns

下降时间

75 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

125nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

330 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-268

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

400W

包装

管件

单位重量

4.500 g

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268-2

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

4 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

IXTT20N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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