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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH30N50Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH30N50Q3价格参考。IXYSIXFH30N50Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH30N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH30N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH30N50Q3是一款功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管(FET)。其主要参数包括30A的连续漏极电流和500V的漏源击穿电压,采用第三代MOSFET技术,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。 该器件广泛应用于需要高效能功率转换的场景,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。此外,它也适用于工业自动化设备、电焊机、UPS不间断电源及新能源领域中的功率调节装置。其高可靠性和耐压能力使其在高要求的工业和电力电子系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH30N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH30N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 690 W |
| Pd-功率耗散 | 690 W |
| Qg-GateCharge | 62 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 功率-最大值 | 690W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
| 系列 | IXFH30N50 |
| 配置 | Single |