Datasheet下载- 型号： PSMN020-100YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN020-100YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN020-100YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN020-100YS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN020-100YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN020-100YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN020-100YS,115 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，属于晶体管中的功率 MOSFET 类别。该器件具有 100V 耐压、低导通电阻（典型值约 2.0mΩ）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场景。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，因其低导通损耗可提升整体能效，适用于服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业控制中的电机驱动电路中，该 MOSFET 可实现快速开关与低发热，提高驱动效率。 3. 电池管理系统（BMS）：适用于电动自行车、储能系统等的充放电控制电路，具备良好的热稳定性和过载能力。 4. 汽车电子：可用于车载电源、LED 照明驱动或辅助系统中的负载开关，符合汽车级可靠性要求。 5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，作为主开关元件，支持高频工作，降低能量损耗。 该器件采用 LFPAK 封装（类似 TO-252），具有优良的散热性能和焊接可靠性，适合自动化生产。其高性价比和稳定性能使其在工业、消费电子及汽车领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 43A LFPAKMOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN020-100YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN020-100YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 41 nC |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.6 V |
| 上升时间 | 18.1 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2210pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4975-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 37.8 ns |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 37 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 43 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 43A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
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