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IRF640STRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640STRLPBF价格参考。VishayIRF640STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF640STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRF640STRLPBF 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备和电路中。以下是该型号的一些主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRF640STRLPBF 常用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的通断,实现电压转换和稳压功能。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源效率,减少能量损耗。 - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换器中,MOSFET 作为主开关元件,负责将输入电压转换为所需的输出电压。IRF640STRLPBF 的高耐压和低导通电阻使其适用于宽范围的输入电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机:在电机驱动电路中,IRF640STRLPBF 可以用作半桥或全桥电路中的功率开关,控制电机的正反转、速度调节等功能。其良好的散热性能和耐高温能力确保了在大电流下的稳定运行。 3. 逆变器 - 太阳能逆变器 和 不间断电源 (UPS):IRF640STRLPBF 在逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统和 UPS 系统中的电源转换。其高耐压特性使其能够在高压环境下可靠工作。 4. 保护电路 - 过流保护 和 短路保护:IRF640STRLPBF 可以用作保护电路中的开关元件,当检测到过流或短路时,迅速切断电路,防止损坏其他元器件。其快速响应时间和低导通电阻有助于提高保护效果。 5. 音频放大器 - D类音频放大器:在 D 类音频放大器中,IRF640STRLPBF 作为开关元件,通过高频开关来实现音频信号的放大。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高音频质量,减少失真。 6. 工业自动化 - PLC(可编程逻辑控制器) 和 传感器接口:在工业自动化领域,IRF640STRLPBF 可用于 PLC 和传感器接口中的功率控制,确保设备在不同负载条件下的稳定运行。 总之,IRF640STRLPBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、保护电路等多个领域,特别是在需要高效、快速响应和高耐压的场合中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640STRLPBFIRF640STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | IRF640STRLPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |