Datasheet下载- 型号： STL25N15F3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL25N15F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL25N15F3价格参考。STMicroelectronicsSTL25N15F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STL25N15F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL25N15F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL25N15F3是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于中高功率开关场合。其150V耐压和25A大电流能力使其适用于多种电源管理与功率控制场景。 该器件常用于开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，在服务器、通信设备和工业电源中实现高效能电能转换。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，STL25N15F3有助于降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。 在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，常见于电动工具、家用电器和工业自动化设备中。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS（不间断电源）等设备中的功率开关和保护电路。 STL25N15F3采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热性能和紧凑尺寸，适合空间受限但散热要求较高的应用。其坚固的结构和高可靠性也使其能在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和车载环境。 总之，STL25N15F3凭借高性能参数和稳定性，广泛应用于电源转换、电机控制、新能源及工业电子等领域，是中高压功率设计中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLATMOSFET N-Ch 150 Volt 6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL25N15F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL25N15F3 |
| Pd-PowerDissipation | 80 W |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（6x5） |
| 其它名称 | 497-8785-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF220870?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 57 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 系列 | STL25N15F3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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