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IRFR6215TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR6215TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR6215TRPBF价格参考¥3.01-¥3.25。International RectifierIRFR6215TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR6215TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR6215TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR6215TRPBF是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的概述: 1. 电源管理 - IRFR6215TRPBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其成为高效电源管理的理想选择。 - 可用于笔记本电脑、台式机和其他消费电子设备的电源适配器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动中,该MOSFET可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器(如风扇、水泵)和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 用作负载开关,实现电路的动态开启和关闭,同时保护系统免受过流或短路的影响。 - 常见于智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理单元。 4. 电池管理系统(BMS) - 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,IRFR6215TRPBF可用于充放电路径的开关控制,确保电池安全运行。 - 其低导通电阻有助于减少功耗,提高系统效率。 5. 信号切换 - 用于音频信号切换、传感器信号处理等场景,提供高可靠性和低噪声性能。 - 适合需要高频信号切换的应用,如通信设备和数据传输系统。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电器、LED照明驱动、电动座椅控制等应用。 - 其耐高温特性和稳定性使其能够在严苛的汽车环境中可靠工作。 7. 其他应用 - 工业设备中的继电器替代方案,提供更快速、更可靠的开关功能。 - 照明系统的调光控制,例如LED灯驱动电路。 综上所述,IRFR6215TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,为各种电力转换和控制需求提供高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 860 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 13A DPAKMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR6215TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR6215TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 66 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 580 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 580 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 295 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR6215TRPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |