【未分类_FQD13N06LTF】封装/厂家_FQD13N06LTF中文资料_价格

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型号： FQD13N06LTF
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD13N06LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD13N06LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD13N06LTF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQD13N06LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD13N06LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD13N06LTF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQD13N06LTF 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.018 Ω）和高电流能力（最大 drain 电流可达 24 A）使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 可应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、充电器等场景。

 2. 电机驱动
   - 由于其低 Rds(on)，该 MOSFET 在电机驱动电路中表现出色，能够高效地控制直流电机或步进电机的运行。
   - 常见于小型家用电器（如风扇、吸尘器）、电动工具以及玩具电机驱动。

 3. 负载开关
   - 在需要快速开启或关闭负载的应用中，FQD13N06LTF 可作为高效的负载开关使用。
   - 适用于电池供电设备（如移动电源、便携式电子设备）以降低功耗并提高效率。

 4. 电池管理
   - 该 MOSFET 可用于锂电池保护电路中，控制电池充放电路径。
   - 在电池管理系统（BMS）中，它可用于防止过流、短路或过度放电。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器应用中，FQD13N06LTF 可用作功率级开关元件，将直流电转换为交流电。
   - 例如太阳能微逆变器或不间断电源（UPS）系统。

 6. LED 驱动
   - 该 MOSFET 可用于高亮度 LED 驱动电路中，提供精确的电流控制和调光功能。
   - 适合汽车照明（如车灯、刹车灯）或工业照明系统。

 7. 信号放大与缓冲
   - 在一些低频信号处理应用中，FQD13N06LTF 可用于信号放大或缓冲，确保信号完整性。

 特性总结
- 电压范围：耐压高达 60 V，适合中低压应用。
- 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。
- 高开关速度：支持高频操作，适合现代电子设备需求。
- 封装形式：采用 TO-220 封装，散热性能良好，便于安装。

综上所述，FQD13N06LTF 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，是一款高性能、低成本的 N 沟道 MOSFET。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD13N06LTF
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	6.4nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	115 毫欧 @ 5.5A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	11A （Tc）